|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ФНКЦ РР |
||
Моделирование процесса диффузионного легирования с применением программного обеспечения фирмы SYNOPSYSстатья
- Авторы: Лагунович Н.Л., Борздов В.М., Турцевич А.С.
- Журнал: Электроника инфо
- Номер: 8
- Год издания: 2014
- Первая страница: 24
- Последняя страница: 27
- Аннотация: Моделирование полупроводниковых структур играет важную роль при разработке и оптимизации технологического процесса изготовления и электрофизических свойств новых изделий твердотельной электроники. В данной работе рассматриваются два модельных приближения для описания процесса диффузионного легирования полупроводниковой области: с помощью одной команды и с помощью двух команд программы Taurus TSUPREM-4, входящей в состав программного комплекса фирмы Synopsys. Проведен сравнительный анализ результатов моделирования с использованием указанных методов на примере пластины-спутника с удельным сопротивлением pv= 10 Ом*см и структуры кремниевого стабилитрона, изготавливаемого на подложке c pv= 0.1 Ом*см. В результате расчетов были получены профили распределения примесей, значения глубин залегания p-n-переходов, поверхностных сопротивлений областей n-типа и напряжений стабилизации. Установлено, что величины глубин залегания p-n-переходов, поверхностных сопротивлений областей n-типа, напряжения стабилизации, полученные при моделировании структуры стабилитрона с применением двух различных модельных подходов описания процесса диффузионного легирования, имеют незначительную разницу. Сделан вывод о том, что модельное приближение с применением одной программной команды может быть весьма эффективным при моделировании некоторых полупроводниковых структур
- Добавил в систему: Лагунович Наталия Леонидовна