|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ФНКЦ РР |
||
Влияние формы полевой зависимости вероятности диссоциации связанных электронно-дырочных пар на фототок и пространственное разрешение органических полевых фототранзисторовстатья
Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science
Статья опубликована в журнале из перечня ВАКСтатья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
- Автор: Труханов В.А.
- Журнал: Вестник Московского университета. Серия 3: Физика, астрономия
- Том: 78
- Номер: 5
- Год издания: 2023
- Издательство: Изд-во Моск. ун-та
- Местоположение издательства: М.
- Первая страница: 2360401-1
- Последняя страница: 2360401-11
- Номер статьи: 2360401
- Аннотация: В настоящей работе с помощью численного моделирования исследуются амбиполярные органические полевые фототранзисторы, в которых может иметь место пространственно-локализованный фотоэффект. Данный эффект состоит в том, что в канале транзистора имеется небольшая пространственно-локализованная фоточувствительная область, положением которой можно управлять, меняя напряжение на затворе. Целью настоящей работы является анализ взаимосвязи формы полевой зависимости вероятности диссоциации связанных электроннодырочных пар (𝑒/ℎ-пар) с такими характеристиками исследуемых амбиполярных фототранзисторов, как нормированный фототок, пространственное разрешение, а также быстродействие. Показано, что оптимальной формой полевой зависимости вероятности диссоциации 𝑒/ℎ-пар является форма, близкая к ступенчатой, которая может обеспечить высокое пространственное разрешение при больших значениях нормированного фототока без ухудшения быстродействия фототранзистора. Такая форма может быть достигнута, когда в органическом полупроводнике имеет место предельно узкое распределение 𝑒/ℎ-пар по размеру, описываемое дельта-функцией. Также на примере нескольких распределений различной формы показано, что снижение ширины распределения ведет к увеличению пространственного разрешения. Обсуждаются подходы к подбору и модификации органических полупроводниковых материалов, которые бы обеспечили наиболее выраженный пространственно-локализованный фотоэффект в амбиполярных полевых транзисторах.
- Добавил в систему: Труханов Василий Андреевич