Разработка фотомемристивных устройств на основе модифицированного оксида графена и перспективы синхротронных исследований их фотонаведенных электронных состояний и структурных переходов

Митюшев, Н.Д.; Панин, Г.Н.; Баранов, А.Н.

Авторы: Митюшев Н.Д., Панин Г.Н., Баранов А.Н.
Сборник: Первый Курчатовский форум синхротронно-нейтронных исследований (Курчатов ФСНИ 2023), сборник тезисов
Тезисы
Год издания: 2023
Аннотация: В настоящее время слоистые 2D материалы, такие как графен, оксид графена и др., привлекают большое внимание разработчиков микро- и оптоэлектронных устройств из-за их уникальных химических и физических свойств, необходимых для создания двумерных мемристоров-нового типа логических переключателей и памяти [1, 2].Такие переключающие и запоминающие двухэлектродные устройства энергонезависимы и могут быть встроены в КМОП технологию, существенно улучшив параметры современных интегральных схем. Кроме того, модификация двумерных материалов с помощью наночастиц и квантовых точек может контролировать их фотомемристивные состояния [3, 4], что дает возможность запоминать и обрабатывать как электронные, так и оптические сигналы [5]. Для модификации оксида графена в данной работе было проведено восстановление полученной пленки в гидротермальных условиях гидразином, замещение кислородных групп на фторидные с целью контроля электронной структуры и повышения химической и термической стабильности, а также встраивание в структуру углеродных наночастиц для контроля фоточувствительности полученной структуры в широком диапазоне электромагнитного излучения.Полученные результаты указывают на возможность контроля фотомемристивных состояний в модифицированном оксиде графена в широком диапазоне, длин волн и электрических возбуждений. В изучении механизмов формирования таких фотонаведенных электронных состояний и структурных переходов могут помочь синхротронные исследования методами фотоэлектронной спектроскопии.Работа выполнена при поддержке РНФ, грант №23-49-00159 1)Панин Г. Н., // Электронная техника. Серия 3: Микроэлектроника 2018. 1 (169). с. 23-41.2)G. N. Panin // Electronics 2022. V.11. P. 619.3)W. Wang et al., // Sci. Rep. 2016. V.6. 31224.4)X. Fu et al., // Small 2019. 1903809.5)X. Fu et al., // Light Sci. Appl. 2023. V.12, P.39.
Добавил в систему: Митюшев Никита Дмитриевич

	ИСТИНА	Войти в систему Регистрация
	ФНКЦ РР
	Главная Поиск Статистика О проекте Помощь

ИСТИНА

ФНКЦ РР

Прикрепленные файлы