|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ФНКЦ РР |
||
Переключение в толстопленочных структурах на основе стеклообразного и кристаллического As2Se3//Физика и техникастатья
Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science
Статья опубликована в журнале из перечня ВАКСтатья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
- Авторы: Школьников Е.В., Кашкаров Ю.П.
- Журнал: Физика и техника полупроводников
- Том: 8
- Номер: 5
- Год издания: 1974
- Издательство: Наука
- Местоположение издательства: СПб.
- Первая страница: 966
- Последняя страница: 968
- Аннотация: Для стеклообразных и поликристаллических слоев As2Se3 толщиной 14-300 мкм (удельное электросопротивление соответственно 1.5·10х12 и 3·10х13 Ом·см) при температуре 293 К наблюдаются симметричные вольт-амперные характеристика порогового типа в статическом и динамическом режимах(20 – 2·10х5 Гц) с близкими параметрами. Напряженность электрического поля пробоя Епр 3-5·105 В/c не зависит от толщины стекла до 130мкм при 293К и до 400 мкм при 77К. При толщине слоя менее 40 мкм величина Епр практически не зависит от температуры в интервале 77- 360 К. После 10х11 переключений из высокоомного в низкоомного состояние наблюдали необратимое запоминание низкоомного состояния.For glassy and polycrystalline As2Se3 layers of 14-300 μm thickness (specific electrical resistivity of 1.5-10х12 and 3-10х13 Ohm-cm, respectively) at 293 K, symmetric volt-ampere characteristics of threshold type in static and dynamic modes (20 - 2-10х5 Hz) with close parameters are observed. The breakdown electric field strength Epr 3-5-10х5 V/c is independent of the glass thickness up to 130µm at 293K and up to 400µm at 77K. For layer thicknesses less than 40 μm, the value of Epr is practically independent of temperature in the range 77- 360 K. After 10х11 switches from the high resistive to low resistive state, irreversible memorization of the low resistive state was observed
- Добавил в систему: Школьников Евгений Васильевич