Выберите категорию обращения:
Общие вопросы
Отчеты
Рейтинги
Мониторинговый отчёт
Диссертационные советы
Конкурсы
Ввод данных
Структура организаций
Аспирантура
Научное оборудование
Импорт педагогической нагрузки
Журналы и импакт-факторы
Тема обращения:
Описание проблемы:
Введите почтовый адрес:
ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
ФНКЦ РР
Главная
Поиск
Статистика
О проекте
Помощь
Plasma Parameters and Kinetics of Reactive Ion Etching of SiO2 and Si3N4 in an HBr/Cl2/Ar Mixture
статья
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Авторы:
Efremov A.M.,
Betelin V.B.
, Kwon K.H.
Журнал:
Russian Microelectronics
Том:
52
Номер:
2
Год издания:
2023
Издательство:
Maik Nauka/Interperiodica Publishing
Местоположение издательства:
Russian Federation
Первая страница:
99
Последняя страница:
106
DOI:
10.1134/s1063739723700282
Добавил в систему:
Стамов Любен Иванович