Эпитаксиальный рост и свойства пленок MgxZn1-xO, получаемых методом лазерно-плазменного осаждениястатья
Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science
Статья опубликована в журнале из перечня ВАК
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 24 июля 2024 г.
Аннотация:Методом лазерно-плазменного осаждения при распылении керамических мишеней были выращены тонкие пленки MgxZn1-xO, содержащие Mg в концентрациях x=0-0.45. Определены условия их эпитаксиального роста на монокристаллических подложках Al2O3(00.1). Достигнут рекордный предел растворимости Mg в гексагональном оксиде цинка, соответствующий x=0.35. Рассогласование постоянных кристаллической решетки a пленок ZnO и Mg0.35Zn0.65O при этом не превышало 1%, а значения ширин запрещенных зон различались на 0.78 эВ. Шероховатость поверхности пленок составила 0.8-1.5 нм в диапазоне x=0-0.27.