|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ФНКЦ РР |
||
Усовершенствование технологического маршрута изготовления и приборно-технологическое моделирование биполярного транзистора со статической индукциейстатья
- Авторы: Лагунович Н.Л., Борздов В.М., Турцевич А.С.
- Журнал: Доклады Белорусского государственного университета информатики и радиоэлектроники
- Том: 105
- Номер: 3
- Год издания: 2017
- Первая страница: 70
- Последняя страница: 77
- Аннотация: Приведены результаты усовершенствования технологического маршрута изготовления биполярного транзистора со статической индукцией (БСИТ) и его приборно-технологического моделирования. Усовершенствование маршрута позволило сократить количество металлизированных промежуточных оригиналов (МПО), используемых при проекционной фотолитографии, на один, и получить экспериментальные образцы транзистора с требуемыми электрическими характеристиками. Приборное моделирование БСИТ было выполнено с использованием разработанных авторами модели транзистора и комплекса программ MOD-1D.
- Добавил в систему: Лагунович Наталия Леонидовна