Выберите категорию обращения:
Общие вопросы
Отчеты
Рейтинги
Мониторинговый отчёт
Диссертационные советы
Конкурсы
Ввод данных
Структура организаций
Аспирантура
Научное оборудование
Импорт педагогической нагрузки
Журналы и импакт-факторы
Тема обращения:
Описание проблемы:
Введите почтовый адрес:
ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
ФНКЦ РР
Главная
Поиск
Статистика
О проекте
Помощь
The effect of fast-electron bombardment on the electrical conductivity of silicon and the dependence of the rate of defect formation on the orientation of a crystal with respect to the electron beam
статья
Исследовательская статья
Авторы:
Vavilov V.S.
,
Patskevich V.M.
,
Yurkov B.Y.
,
Glazunov P.Ya
Журнал:
SOVIET PHYSICS-SOLID STATE
Номер:
2
Год издания:
1961
Добавил в систему:
Непомнящий Олег Николаевич