Optical Properties of Nanowire Structures Produced by the Metal-Assisted Chemical Etching of Lightly Doped Silicon Crystal Wafers

Gonchar, K.A.; Osminkina, L.A.; Sivakov, V.; Lysenko, V.; Timoshenko, V.Y.

Авторы: Gonchar K.A., Osminkina L.A., Sivakov V., Lysenko V., Timoshenko V.Yu
Журнал: Semiconductors
Том: 48
Номер: 12
Год издания: 2014
Издательство: Springer
Местоположение издательства: New York
Первая страница: 1613
Последняя страница: 1618
DOI: 10.1134/S1063782614120082
Аннотация: Методами спектроскопии отражения, комбинационного рассеяния света и фотолюминесценции были исследованы слои кремниевых нанонитей с диаметрами 20-200 нм, выращенных металлстимулированным травлением монокристаллических кремниевых подложек p-типа с удельным сопротивлением 1-20 Ом·см и ориентацией поверхности (100), полученных от трех компаний-производителей и характеризующихся различным временем жизни фотовозбужденных носителей заряда. Установлено, что для нанонитей с длиной более 1 мкм интенсивность комбинационного рассеяния в 3-5 раз превышает значение для подложек. Интенсивность межзонной фотолюминесценции на длине волны 1.12 мкм для нанонитей значительно превышала уровень для подложек и была максимальна для образцов с наибольшим объемным временем жизни, что указывает на низкий уровень темпа безызлучательной рекомбинации на поверхности нанонитей.
Добавил в систему: Гончар Кирилл Александрович

	ИСТИНА	Войти в систему Регистрация
	ФНКЦ РР
	Главная Поиск Статистика О проекте Помощь

ИСТИНА

ФНКЦ РР

Optical Properties of Nanowire Structures Produced by the Metal-Assisted Chemical Etching of Lightly Doped Silicon Crystal Wafersстатья

Прикрепленные файлы