|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ФНКЦ РР |
||
PROPERTIES OF JOSEPHSON-JUNCTIONS WITH AMORPHOUS-SILICON INTERLAYERSстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 29 мая 2015 г.
- Авторы: GUDKOV AL, KUPRIANOV MY, LIKHAREV KK
- Журнал: Zhurnal Eksperimentalnoi I Teoreticheskoi Fiziki
- Том: 94
- Номер: 7
- Год издания: 1988
- Первая страница: 319
- Последняя страница: 332
- Аннотация: The authors describe the principal results of detailed investigations of the transport properties and structure of edge-type Nb-alpha Si-Nb Josephson junctions. They show that the junction conductivity, notwithstanding it anomalously low value, is direct (nontunneling) and has a most unusual (nonmonotonic) dependence on the interlayer thickness. These features can be attributed to the resonant nature of the current passing through interlayers having abrupt plane-parallel boundaries.
- Добавил в систему: Куприянов Михаил Юрьевич
Прикрепленные файлы
| № | Имя | Описание | Имя файла | Размер | Добавлен |
|---|---|---|---|---|---|
| 1. | Полный текст | ZETF_Gudkov_1988.pdf | 580,0 КБ | 3 декабря 2015 [mkupr] |