|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ФНКЦ РР |
||
Characterization of NbN/AlN/NbN tunnel junctions fabricated without intentional heatingстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Scopus,
Web of Science
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 18 июля 2013 г.
- Авторы: Iosad N.N., Balashov D.V., Kupriyanov M.Y., Polyakov S.N., Roddatis V.V.
- Журнал: IEEE Transactions on Applied Superconductivity
- Том: 7
- Номер: 2
- Год издания: 1997
- Издательство: Institute of Electrical and Electronics Engineers
- Местоположение издательства: Piscataway, NJ, United States
- Первая страница: 2805
- Последняя страница: 2808
- DOI: 10.1109/77.621820
- Аннотация: We have fabricated by SNEP process Nb/Al/NbN/AlN/NbN Josephson junctions with the gap voltage V-g = 2 Delta/e approximate to 4.0 mV, subgap leakage R-sg/R-n = 6.0, current density measured at the gap current rise J(g) approximate to 1.5 kA/cm(2). The (111)-textured NbN with transition temperature T-c approximate to 16 K have been deposited at ambient substrate temperature, Phase composition and structure of the NbN films were investigated by X-ray diffraction analysis (XRD). It was found that the films have a structure close to the cubic delta-NbN (JCPDS card N38-11556) and the phase composition and intrinsic stress in NbN depend on Ar and N-2 partial pressure during DC magnetron sputtering, Cross-sectional TEM analysis showed that in-situ deposition of thin Al layer in the base Nb/Al/NbN electrode provides effective planarization of its surface and the result in improvement of tunnel junction parameters.
- Добавил в систему: Куприянов Михаил Юрьевич
Прикрепленные файлы
| № | Имя | Описание | Имя файла | Размер | Добавлен |
|---|---|---|---|---|---|
| 1. | IEEE_AS_1997_7_2805.pdf | IEEE_AS_1997_7_2805.pdf | 563,2 КБ | 19 февраля 2016 [mkupr] |