Исследование пленок SiO2, имплантированных ионами 64Zn+ и окисленных при повышенных температурах

Привезенцев, В.В.; Сергеев, А.П.; Фирсов, А.А.; Куликаускас, В.С.; Затекин, В.В.; Кириленко, Е.П.; Горячев, А.В.; Ковальский, В.А.

Авторы: Привезенцев В.В., Сергеев А.П., Фирсов А.А., Куликаускас В.С., Затекин В.В., Кириленко Е.П., Горячев А.В., Ковальский В.А.
Журнал: Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования
Номер: 4
Год издания: 2024
Издательство: ФГБУ "Издательство "Наука"
Местоположение издательства: Москва
Первая страница: 62
Последняя страница: 67
DOI: 10.31857/S1028096024040082
Аннотация: Представлены результаты исследования пленок SiO2, имплантированных ионами 64Zn+ дозой 5 × 1016 см–2 при энергии 20 и 120 кэВ и изохронно окисленных в течение 1 ч при температурах от 400 до 800°С с шагом 100°С. Профили Zn и его оксида исследованы с помощью резерфордовского обратного рассеяния, а также методом времяпролетной вторичной ионной масс-спектрометрии. Химическое состояние цинка и фазовый состав пленки определяли методами оже-электронной спектроскопии и комбинационного рассеяния света. Установлено, что после имплантации распределение цинка имеет два максимума на глубинах 20 и 85 нм, а после отжига при 700°С имеется уширенный максимум на глубине 45 нм. После имплантации в образце формируется смесь фаз Zn и ZnO. После отжига при 700°С в образце формируется исключительно фаза ZnO, профиль распределения которой имеет уширенный пик при 45 нм.
Добавил в систему: Затекин Владимир Витальевич

	ИСТИНА	Войти в систему Регистрация
	ФНКЦ РР
	Главная Поиск Статистика О проекте Помощь

ИСТИНА

ФНКЦ РР

Исследование пленок SiO2, имплантированных ионами 64Zn+ и окисленных при повышенных температурахстатья

Прикрепленные файлы