Magnetoresistance of a lateral contact to a two-dimensional electron gas

Uhlisch, D.; Kupriyanov, M.Y.; Golubov, A.A.; Appenzeller, J.; Klocke, T.; Neurohr, K.; Ustinov, A.V.; Braginski, A.I.

Информация о цитировании статьи получена из Scopus, Web of Science
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 18 июля 2013 г.

Авторы: Uhlisch D., Kupriyanov M.Y., Golubov A.A., Appenzeller J., Klocke T., Neurohr K., Ustinov A.V., Braginski A.I.
Журнал: Physica B: Condensed Matter
Том: 225
Номер: 3-4
Год издания: 1996
Издательство: Elsevier BV
Местоположение издательства: Netherlands
Первая страница: 197
Последняя страница: 201
DOI: 10.1016/0921-4526(96)86774-3
Аннотация: Lateral Nb contacts to a high-mobility two-dimensional electron gas (2DEG) in InGaAs heterostructures are studied. Below T-c of Nb a pronounced non-linearity due to the superconducting energy gap is observed in the differential resistance. The Nb/2DEG interface reveals an enhanced zero-bias resistance. In normal state, a drastic decrease of the resistance with increasing magnetic field perpendicular to the plane of the structure is observed. It is explained in terms of a confinement of electron trajectories near the interface with increasing magnetic field yielding an enhanced number of transmitted carriers. The suggested model shows good agreement with experiment. We conclude that the magnetic field strongly influences the effective conductance of weakly transparent contacts.
Добавил в систему: Куприянов Михаил Юрьевич

	ИСТИНА	Войти в систему Регистрация
	ФНКЦ РР
	Главная Поиск Статистика О проекте Помощь

ИСТИНА

ФНКЦ РР

Magnetoresistance of a lateral contact to a two-dimensional electron gasстатья

Прикрепленные файлы