Влияние эффекта Рамзауэра на частоту упругих столкновений в плазме индуктивного ВЧ разряда в инертных газахстатья
Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science
Статья опубликована в журнале из перечня ВАК
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 24 января 2020 г.
Аннотация:Представлены результаты исследования механизма поглощения ВЧ-мощности плазмой индуктивного ВЧ-разряда, приведены зависимости частоты столкновений электронов с атомами инертных газов (гелий, неон, аргон, криптон) от давления в плазме индуктивного ВЧ-разряда. В диапазоне частот столкновений 3·10^6 – 3·10^7 с^(−1) значения эквивалентного сопротивления плазмы и энерговклад
в плазму определяются величинами частоты столкновений и концентрации электронов в области скин-слоя и в пределах ошибки эксперимента не зависят от рода газа. При достижении температуры
электронов ∼ 1 эВ энергия основной массы электронов находится в области рамзауэровского минимума сечений упругих столкновений. Это приводит к понижению частоты упругих столкновений
тяжелых инертных газов по сравнению с гелием.