|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ФНКЦ РР |
||
Одноэлектронный транзистор на основе одиночных атомов фосфора в кремниитезисы доклада
- Авторы: Дагесян С.А., Шорохов В.В., Преснов Д.Е., Солдатов Е.С., Трифонов А.С., Крупенин В.А., Снигирёв О.В.
- Сборник: Тезисы докладов XIII Российской конференция по физике полупроводников, 2 – 6 октября 2017г., Екатеринбург, Россия
- Тезисы
- Год издания: 2017
- Место издания: ИФМ УрО РАН г. Екатеринбург
- Первая страница: 411
- Аннотация: В настоящей работе нами был экспериментально исследован электронный транспорт через одиночные примесные атомы фосфора, внедренные в кристаллическую решётку кремния
- Добавил в систему: Крупенин Владимир Александрович