Выберите категорию обращения:
Общие вопросы
Отчеты
Рейтинги
Мониторинговый отчёт
Диссертационные советы
Конкурсы
Ввод данных
Структура организаций
Аспирантура
Научное оборудование
Импорт педагогической нагрузки
Журналы и импакт-факторы
Тема обращения:
Описание проблемы:
Введите почтовый адрес:
ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
ФНКЦ РР
Главная
Поиск
Статистика
О проекте
Помощь
Влияние дизайна метаморфного буфера и ориентации подложки на транспортные свойства HEMT-структур In0.7Al0.3As/In0.7Ga0.3As/ In0.7Al0.3As на подложках GaAs
тезисы доклада
Авторы:
Овешников Л.Н.
,
Кульбачинский В.А.
,
Лунин Р.А.
,
Галиев Г.Б.
,
Пушкарев С.С.
,
Климов Е.А.
,
Юзеева Н.А.
Сборник:
5-я Научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники «Мокеровские чтения», тезисы докладов
Тезисы
Год издания:
2014
Первая страница:
52
Последняя страница:
53
Добавил в систему:
Кульбачинский Владимир Анатольевич