Рентгеновская рефлектометрия и фотоэлектронная спектроскопия сверхрешеток с нанокристаллами кремниястатья
Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science
Статья опубликована в журнале из перечня ВАК
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 26 февраля 2018 г.
Аннотация:В работе исследованы структурные свойства и особенности химического состава многослойных тонких пленок SiOxNy/SiO2, SiOxNy/Si3N4 и SiNx/Si3N4 с ультратонкими (1-1.5 нм) барьерными слоями SiO2 или Si3N4. Пленки были получены методом плазмохимического осаждения из газовой фазы и отожжены при температуре 1150 °С для формирования нанокристаллов кремния в обогащенных кремнием слоях SiOxNy или SiNx номинальной толщиной 5 нм. Период сверхрешеток в исследуемых образцах был оценен методом рентгеновской рефлектометрии. Фазовый состав сверхрешеток был исследован методом рентгеноэлектронной спектроскопии с использованием разложения фотоэлектронных спектров Si 2p-, N 1s- и O 1s-уровней на компоненты, соответствующие различным зарядовым состояниям атомов.