|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ФНКЦ РР |
||
High-temperature single-electron transistor based on a gold nanoparticleстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science,
Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 30 марта 2015 г.
- Авторы: Dagesyan S.A., Stepanov A.S., Soldatov E.S., Zharik G.
- Сборник: Proc. of SPIE, the International Society for Optical Engineering
- Том: 9440
- Год издания: 2014
- Первая страница: 94400P-1
- Последняя страница: 94400P-6
- DOI: 10.1117/12.2181137
- Аннотация: Molecular single-electron transistors based on small (2 - 4 nm) gold nanoparticles were fabricated using an electronbeam lithography and the electromigration method. Electrical characteristics of the obtained transistors were measured at 77 and 300 K. The characteristics show that the regime of a correlated tunneling of electrons was realized at these high for the process temperatures.
- Добавил в систему: Дагесян Саркис Арменакович
Прикрепленные файлы
| № | Имя | Описание | Имя файла | Размер | Добавлен |
|---|---|---|---|---|---|
| 1. | Полный текст | 94400P.pdf | 773,0 КБ | 25 декабря 2014 [Capkuckokos] |