|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ФНКЦ РР |
||
Anisotropy of the energy spectrum, transport properties and far-infrared intersubband absorption in (001) p-GaAs/AlXGa1-XAs under uniaxial stressтезисы доклада
- Авторы: Beneslavski S.D., Kolokolov K.I., Minina N.Ya, Savin A.M., Hansen O.P., Sorensen C.B.
- Сборник: 26th International Conference on the Physics of Semiconductors. Abstracts
- Том: 2
- Тезисы
- Год издания: 2002
- Место издания: Edinburgh (UK)
- Первая страница: 145
- Аннотация: Используя гамильтониан Латтинджера-Кона с учетом слагаемых, обусловленных деформацией с учетом слагаемых, обусловленных деформацией решетки, найден закон дисперсии, волновые функции дырок в квантовой яме, возникающий на гетерогранице GaAs/AlxGa1-xAs. Определенные по этим результатам деформационные зависимости формы поверхности Ферми и концентрации частиц находятся в хорошем соответствии с экспериментом, оцененная анизотропия электросопротивления также удовлетворительно согласуется с измеренным значением. Теоретически рассчитанные значения коэффициента поглощения в далеком инфракрасном диапазоне демонстрирует сильную чувствительность его к величине одноосной деформации и степени поляризации излучения.
- Добавил в систему: Минина Наталья Яковлевна