|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ФНКЦ РР |
||
Термоактивационная проводимость и глубокие уровни вблизи гетерограницы в p GaAs/Al0.5Ga0.5Asтезисы доклада
- Авторы: Ильевский А.А., Минина Н.Я.
- Сборник: Четвертая всероссийская молодежная конференция по физике полупроводников и полупроводниковой опто- и наноэлектронике. Тезисы докладов
- Тезисы
- Год издания: 2002
- Место издания: Санкт-Петербург
- Первая страница: 28
- Аннотация: Исследовано явление термоактивационной проводимости в p GaAs/Al0.5Ga0.5As, которое возникает при освещении структуры красным светодиодом и сильно зависит от величины одноосного сжатия. Детальный анализ термических зависимостей концентрации двумерных дырок в рамках модели глубоких уровней, лежащих вблизи гетерограницы, позволил определить величину барьера между основным и возбужденным состояниями глубокого уровня. Высота барьера составляет 6 мэВ.
- Добавил в систему: Минина Наталья Яковлевна