Аннотация:Работа посвящена исследованию долговременных релаксаций проводимости и концентрации двумерных дырок, которые наблюдаются в гетероструктурах p-GaAs/Al0.5Ga0.5As в области гелиевых температур в условиях освещения красным светодиодом с длиной волны 660 нм.