|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ФНКЦ РР |
||
Определяющая роль дефектов на гетерограницах структур на основе GaAs p-типа в транспортных свойствах 2D дырок при комбинированном воздействии освещения и одноосного сжатиятезисы доклада
- Авторы: Богданов Е.В., Ильевский А.А., Кравченко В.Н., Минина Н.Я.
- Сборник: III International conference “Fundamental problems of physics”. Program & Abstacts. Kazan. 13-18 June 2005
- Тезисы
- Год издания: 2005
- Место издания: Казань
- Первая страница: 127
- Аннотация: В работе сообщается об исследовании эффекта отрицательной фотопроводимости, вызываемого освещением красным светодиодом, в гетероструктурах p-GaAs/AlGaAs и p-AlGaAs/GaAs/AlGaAs при гелиевых температурах. Предполагается, что данный эффект связан с существованием глубоких донороподобных уровней, расположенных по энергии немного ниже уровня Ферми. Поскольку расчеты показывают, что центры находятся в непосредственной близости от активного слоя, то соответствующие им дефекты, скорее всего, образованы легирующей примесью Be в межузельном состоянии.
- Добавил в систему: Минина Наталья Яковлевна