Аннотация:В работе исследуется квантовые явления и транспортные свойства двумерных электронов в гетероструктурах GaAs/AlхGa1-хAs:Si с х = 0.3 и 0.5 при одноосном сжатии до 3.5 кбар с целью обнаружения возможных анизотропных эффектов, вызванных одноосной деформацией.