|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ФНКЦ РР |
||
Двумерные электроны на гетерогранице n-GaAs/AlGaAs при одноосном сжатиистатья
- Авторы: Богданов Е.В., Ильевский А.А., Краак В., Кравченко В.Н., Полянский А.В.
- Сборник: 34 совещание по физике низких температур. Труды
- Том: 2
- Год издания: 2006
- Место издания: Ростов-на-Дону
- Первая страница: 78
- Последняя страница: 79
- Аннотация: Гальваномагнитные эффекты в слабом магнитном поле и осцилляции Шубникова–де-Гааза в квантующих магнитных полях до 6 T были исследованы в (100) n-GaAs/AlxGa1-xAs при гелиевых температурах в условиях одноосного сжатия до нагрузок Р = 3.5 кбар в направлениях [110] и [1-10]. Установлено, что изменение транспортных свойств двумерных электронов на гетерогранице n-GaAs/AlxGa1-xAs при сжатии обусловлено главным образом появляющимся пьезоэлектрическим полем. Это поле, которое направлено от подложки к гетерогранице при сжатии вдоль [1-10] и в противоположном направлении при сжатии вдоль [110], достигает величины 11.5 кВ/см при P = 1 кбар, что сравнимо с исходным встроенным полем порядка 100 кВ/см на гетерогранице. После освещения красным светодиодом, которое приводит к задержанной фотопроводимости, зависимость концентрации 2D электронов от нагрузки демонстрирует в случае сжатия вдоль [1-10] гистерезис, который также может быть связан с вызванным пьезополем перераспределением заряда в буферном и активном слоях гетероструктуры. При сжатии вдоль направления [110] этот эффект отсутствует.
- Добавил в систему: Минина Наталья Яковлевна