|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ФНКЦ РР |
||
Two-dimensional electrons in uniaxially strained n-GaAs/AlGaAs heterostructuresтезисы доклада
- Авторы: Bogdanov E.V., Ilievsky A.A., Kraak W., Minina N.Ya
- Сборник: Abstracts. 3rd Int. Conf. on Materials Science and Condensed Matter Physics
- Тезисы
- Год издания: 2006
- Место издания: Chisinau (Moldova)
- Первая страница: 175
- Аннотация: Квантовые явления и транспортные свойства двумерных электронов были исследованы в гетероструктурах GaAs/AlхGa1-хAs:Si с х = 0.3 и 0.5 при одноосном сжатии до 3.5 кбар вдоль направлений [110] и [1-10]. Установлено, что при низких температурах изменение свойств двумерных электронов при сжатии обусловлено в основном пьезоэлектрическим эффектом, который приводит к появлению электрического поля, направленного поперек гетерограницы.
- Добавил в систему: Минина Наталья Яковлевна