|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ФНКЦ РР |
||
Механизмы пробоя транзисторов на арсениде галлиястатья
- Автор: Нечаев А.М.
- Журнал: Обзоры по электронной технике, Сер.2 Полупроводниковые приборы
- Том: 5
- Год издания: 1985
- Первая страница: 1
- Последняя страница: 42
- Добавил в систему: Нечаев Андрей Мартэнович