|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ФНКЦ РР |
||
Особенности спектрови кинетики релаксации длинноволновой фотопроводимости в узкозонных эпитаксиальных пленках и гетероструктурах с квантовыми ямами на основе HgCdTeстатья
Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science
Статья опубликована в журнале из перечня ВАКСтатья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 24 января 2020 г.
- Авторы: Румянцев В.В., Иконников А.В., Антонов А.В., Морозов С.В., Жолудев М.С., Спирин К.Е., Гавриленко В.И., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н.
- Журнал: Физика и техника полупроводников
- Том: 47
- Номер: 11
- Год издания: 2013
- Издательство: Наука
- Местоположение издательства: СПб.
- Первая страница: 1446
- Последняя страница: 1450
- Аннотация: Проведены исследования спектров и кинетики релаксации межзонной фотопроводимости в узкозонных эпитаксиальных пленках Hg1-xCdxTe с x=0.19-0.23 и структурах с квантовыми ямами на основе HgCdTe с энергией межзонных переходов в диапазоне 30-90 мэВ, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках GaAs (013). В спектрах структур с квантовыми ямами помимо межзонной фотопроводимости обнаружена длинноволновая полоса чувствительности, обусловленная примесями/дефектами. Показано, что при той же самой энергии оптического перехода времена жизни неравновесных носителей в структурах с КЯ меньше, чем в объемных образцах. По измеренным временам жизни носителей оценены ампер-ваттная чувствительность и эквивалентная мощность шума для пленки с x=0.19 для длины волны 19 мкм. При исследованиях кинетики релаксации фотопроводимости при 4.2 K в условиях сильного возбуждения обнаружено преобладание излучательной рекомбинации над остальными механизмами рекомбинации неравновесных носителей.
- Добавил в систему: Иконников Антон Владимирович