Выберите категорию обращения:
Общие вопросы
Отчеты
Рейтинги
Мониторинговый отчёт
Диссертационные советы
Конкурсы
Ввод данных
Структура организаций
Аспирантура
Научное оборудование
Импорт педагогической нагрузки
Журналы и импакт-факторы
Тема обращения:
Описание проблемы:
Введите почтовый адрес:
ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
ФНКЦ РР
Главная
Поиск
Статистика
О проекте
Помощь
Исследование профиля дозы облучения объекта электронным пучком в зависимости от глубины
тезисы доклада
Автор:
Быстров П.А.
Сборник:
НАУЧНАЯ СЕССИЯ НИЯУ МИФИ-2015. Аннотации докладов. В 3 томах. Т. 2. Наука о жизни (высокотехнологическая медицина). Наноструктурная электроника. Плазменные, лазерные исследования и технологии. Прикладная математика и теоретическая физика
Редакторы:
Голотюк Олег Николаевич
,
Першенков Вячеслав Сергеевич
,
Петровский Анатолий Николаевич
,
Школьников Эдуард Яковлевич
Серия:
Научная сессия НИЯУ МИФИ
Том:
2
Тезисы
Год издания:
2015
Издательство:
НИЯУ МИФИ
Местоположение издательства:
Москва
Первая страница:
203
Последняя страница:
203
Добавил в систему:
Быстров Петр Алексеевич