–
Статьи в журналах
-
- 2018 GROWTH OF SiC FILMS BY THE METHOD OF SUBSTITUTION OF ATOMS ON POROUS Si (100) AND (111) SUBSTRATES
- Kidalov V.V., Kukushkin S.A., Osipov A.V., Redkov A.V., Grashchenko A.S., Soshnikov I.P., Boiko M.E., Sharkov M.D., Dyadenchuk A.F.
- в журнале Materials Physics and Mechanics, издательство Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт проблем машиноведения Российской академии наук (Санкт-Петербург), № 36, с. 39-52