–
Статьи в журналах
НИР и НИОКР
-
- 1 января 2016 - 31 декабря 2017 Эпитаксиальные низкотемпературные наногетероструктуры InGaAs и InGaAs/InAlAs со сверхмалым временем жизни фотовозбуждённых носителей заряда для фотопроводящих антенн
- Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии науки
- Руководитель: Галиев Г.Б. Участники НИР: Китаева Г.Х., Кузнецов К.А., Пушкарев С.С., Клочков А.Н., Климов Е.А., Корниенко В.В.