Создать обращение в службу поддержки пользователей
Обращение успешно создано! Ему присвоен номер 0.
На адрес Вашей электронной почты отправлено письмо о регистрации обращения. Вы можете ответить на него, если хотите предоставить дополнительную информацию или прикрепить файлы.
Произошла ошибка при создании обращения. Попробуйте перезагрузить страницу и заново создать обращение.

Подтверждение выхода

Вы действительно хотите завершить сессию?
ИСТИНА ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
  • Область интересов
  • Публикации
  • НИР и НИОКР
  • Доклады
  • Учебная работа
  • Инновации
  • Прочее
  • Все результаты
Удаление сотрудника
Вы действительно хотите удалить сотрудника?
Удалить
Shchamkhalova B.S.
Shchamkhalova B.S.
IstinaResearcherID (IRID): 31225982
–

Статьи в журналах

    • 2018 MOVPE growth and transport characterization of Bi2xSbxTe3ySey films
    • Kuznetsov P.I., Yakushcheva G.G., Shchamkhalova B.S., Jitov V.A., Temiryazev A.G., Sizov V.E., Yapaskurt V.O.
    • в журнале Journal of Crystal Growth 483 (2018) 216-222, № 483, с. 216-222
    • 2017 MOVPE deposition of Sb 2 Te 3 and other phases of Sb-Te system on sapphire substrate
    • Kuznetsov P.I., Shchamkhalova B.S., Yapaskurt V.O., Shcherbakov V.D., Luzanov V.A., Yakushcheva G.G., Jitov V.A., Sizov V.E.
    • в журнале Journal of Crystal Growth, издательство Elsevier BV (Netherlands), том 471, с. 1-7 DOI
    • 2016 Growth of Bi2Te3 films and other phases of Bi-Te system by MOVPE
    • Kuznetsov P.I., Yapaskurt V.O., Shchamkhalova B.S., Shcherbakov V.D., Yakushcheva G.G., Luzanov V.A., Jitov V.A.
    • в журнале Journal of Crystal Growth, издательство Elsevier BV (Netherlands), том 455, с. 122-128 DOI
    • 1997 Modeling of the current—voltage characteristics of the resonant tunneling structures
    • Gergel V.A., Khrenov G.Yu, Lapushkin I.Yu, Shchamkhalova B.S., Zakharova A.A.
    • в журнале Труды Физико-технологического института, издательство Физико-технологический институт РАН (Москва), том 13, с. 16-25

ФНКЦ РР
© 2011-2025 Лаборатория 404. НИИ механики МГУ.
Правила пользования
Помощь
Создать обращение Обратная связь