Создать обращение в службу поддержки пользователей
Обращение успешно создано! Ему присвоен номер 0.
На адрес Вашей электронной почты отправлено письмо о регистрации обращения. Вы можете ответить на него, если хотите предоставить дополнительную информацию или прикрепить файлы.
Произошла ошибка при создании обращения. Попробуйте перезагрузить страницу и заново создать обращение.

Подтверждение выхода

Вы действительно хотите завершить сессию?
ИСТИНА ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
  • Область интересов
  • Публикации
  • НИР и НИОКР
  • Доклады
  • Учебная работа
  • Инновации
  • Прочее
  • Все результаты
Удаление сотрудника
Вы действительно хотите удалить сотрудника?
Удалить
Рогожин Александр Евгеньевич
Рогожин Александр Евгеньевич
IstinaResearcherID (IRID): 47835295
–

Доклады на научных конференциях

    • 2023 The effect of Ar+ plasma immersion ion implantation on the electroforming voltage of HfO2-based structures (Устный)
    • Авторы: Permyakova O., Zvonov P., Pankratov S., Miakonkikh A., Rogozhin A.E.
    • 15th International Conference "Micro- and Nanoelectronics – 2023" (ICMNE–2023), Звенигород, Россия, 2-6 октября 2023
    • 2021 Study of silicon carbide surface at different stages of doping by nitrogen atoms (Стендовый)
    • Авторы: Andalashvili M.Z., Presnov D.E., Minnebaev D.K., Rogozin A.E., Miakonkikh A.V., Lubenchenko A.V., Tsiniaikin I.I., Krupenin V.A., Trifonov A.S.
    • ICMNE-2021, г. Звенигород, РФ, Россия, 4-8 октября 2021

ФНКЦ РР
© 2011-2025 Лаборатория 404. НИИ механики МГУ.
Правила пользования
Помощь
Создать обращение Обратная связь