Создать обращение в службу поддержки пользователей
Обращение успешно создано! Ему присвоен номер 0.
На адрес Вашей электронной почты отправлено письмо о регистрации обращения. Вы можете ответить на него, если хотите предоставить дополнительную информацию или прикрепить файлы.
Произошла ошибка при создании обращения. Попробуйте перезагрузить страницу и заново создать обращение.

Подтверждение выхода

Вы действительно хотите завершить сессию?
ИСТИНА ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
  • Область интересов
  • Публикации
  • НИР и НИОКР
  • Доклады
  • Учебная работа
  • Инновации
  • Прочее
  • Все результаты
Удаление сотрудника
Вы действительно хотите удалить сотрудника?
Удалить
Luptak R.
Luptak R.
IstinaResearcherID (IRID): 599297624
–

Статьи в сборниках

    • 2011 20nm Gate length Schottky MOSFETs with ultra thin NiSi/epitaxial NiSi<inf>2</inf> source/drain
    • Knoll L., Zhao Q.T., Luptak R., Trellenkamp S., Bourdelle K.K., Mantl S.
    • в сборнике Ulis 2011 Ultimate Integration on Silicon, место издания IEEE DOI

ФНКЦ РР
© 2011-2025 Лаборатория 404. НИИ механики МГУ.
Правила пользования
Помощь
Создать обращение Обратная связь