Создать обращение в службу поддержки пользователей
Обращение успешно создано! Ему присвоен номер 0.
На адрес Вашей электронной почты отправлено письмо о регистрации обращения. Вы можете ответить на него, если хотите предоставить дополнительную информацию или прикрепить файлы.
Произошла ошибка при создании обращения. Попробуйте перезагрузить страницу и заново создать обращение.

Подтверждение выхода

Вы действительно хотите завершить сессию?
ИСТИНА ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
  • Область интересов
  • Публикации
  • НИР и НИОКР
  • Доклады
  • Учебная работа
  • Инновации
  • Прочее
  • Все результаты
Удаление сотрудника
Вы действительно хотите удалить сотрудника?
Удалить
Prodan D.V.
Prodan D.V.
IstinaResearcherID (IRID): 621396590
–

Статьи в журналах

    • 2024 Fractional Marcus-Hush-Chidsey-Yakopcic current-voltage model for redox-based resistive memory devices
    • Paradezhenko G.V., Prodan D.V., Pervishko A.A., Yudin D., Allagui A.
    • в журнале Physical Chemistry Chemical Physics, издательство Royal Society of Chemistry (United Kingdom), том 26, с. 621-627 DOI

ФНКЦ РР
© 2011-2025 Лаборатория 404. НИИ механики МГУ.
Правила пользования
Помощь
Создать обращение Обратная связь