Выберите категорию обращения:
Общие вопросы
Отчеты
Рейтинги
Мониторинговый отчёт
Диссертационные советы
Конкурсы
Ввод данных
Структура организаций
Аспирантура
Научное оборудование
Импорт педагогической нагрузки
Журналы и импакт-факторы
Тема обращения:
Описание проблемы:
Введите почтовый адрес:
ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
ФНКЦ РР
Главная
Поиск
Статистика
О проекте
Помощь
Проблемы создания РНЕМТ гетероструктур AlGaAs/InGaAs/GaAs с тонким подзатворным барьером
доклад на конференции
Авторы:
Хабибуллин Р.А.
,
Васильевский И.С.
,
Боков П.Ю.
,
Климов Е.А.
,
Кульбачинский В.А.
,
Галиев Г.Б.
Конференция :
2-я Научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ - электроники «МОКЕРОВСКИЕ ЧТЕНИЯ»
Даты проведения конференции:
2012
Тип доклада:
не указан
Докладчик:
не указан
не указан
Хабибуллин Р.А.
Васильевский И.С.
Боков П.Ю.
Климов Е.А.
Кульбачинский В.А.
Галиев Г.Б.
Место проведения:
Россия, Москва, Национальный Исследовательский Ядерный Университет МИФИ, Russia
Добавил в систему:
Боков Павел Юрьевич