Выберите категорию обращения:
Общие вопросы
Отчеты
Рейтинги
Мониторинговый отчёт
Диссертационные советы
Конкурсы
Ввод данных
Структура организаций
Аспирантура
Научное оборудование
Импорт педагогической нагрузки
Журналы и импакт-факторы
Тема обращения:
Описание проблемы:
Введите почтовый адрес:
ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
ФНКЦ РР
Главная
Поиск
Статистика
О проекте
Помощь
В связи с техническими работами в центре обработки данных, часть прикреплённых файлов в настоящее время недоступна.
скрыть
Кулатов Э.Т.
Соавторы:
Uspenskii Y.A.
,
Ryl'kov V.V.
,
Shevyakov D.I.
,
Асланов Л.А.
,
Батурин В.С.
,
Ганьшина Е.А.
,
Кудрявцев И.К.
,
Лепешкин С.В.
,
Новодворский О.А.
,
Тугушев В.В.
,
Фокина Н.А.
1 статья
,
1 доклад на конференции
,
1 тезисы доклада
,
1 НИР
IstinaResearcherID (IRID): 17860321
Деятельность
Статьи в журналах
2018
Electronic and magneto-optical properties of ZnO:Co doi.org/10.1051/epgconf/201818506012
Kulatov E.T.
,
Novodvorskii O.A.
,
Rylkov V.V.
,
Uspenskii Yu A.
,
Shevyakov D.I.
,
Tugushev V.V.
,
Gan’shina E.A.
в журнале
EPJ Web of Conferences
, том 185
DOI
Доклады на конференциях
2016
Структура и свойства нанокластеров кремния: эффект пассивации оборванных электронных связей атомами водорода
(Устный)
Авторы:
Фокина Н.А.
,
Батурин В.С.
,
Лепешкин С.В.
,
Кулатов Э.Т.
,
Успенский Ю.А.
,
Асланов Л.А.
,
Кудрявцев И.К.
Первый Российский кристаллографический конгресс
, Москва, Россия, 21-26 ноября 2016
Тезисы докладов
2016
Структура и свойства нанокластеров кремния: эффект пассивации оборванных электронных связей атомами водорода. Сборник тезисов Первого Российского кристаллографического конгресса. 21-26 ноября 2016 г., с.49
Фокина Н.А.
,
Батурин В.С.
,
Лепешкин С.В.
,
Кулатов Э.Т.
,
Успенский Ю.А.
,
Асланов Л.А.
,
Кудрявцев И.К.
в сборнике
Сборник тезсов Первого российского кристаллографического конгресса, Москва, ВДНХ, 21-26 ноября 2016 г
, место издания
ООО "НП-Принт" Москва
, тезисы, с. 49-49
НИРы
1 января 2013 - 31 декабря 2013
СПИНОВОЕ УПОРЯДОЧЕНИЕ В МАГНИТНЫХ ТОПОЛОГИЧЕСКИХ ИЗОЛЯТОРАХ
РФФИ
Руководитель:
Тугушев В.В.
Участники НИР:
Батурин В.С.
,
Кулатов Э.Т.
,
Меньшов В.Н.