Статьи в журналах
Доклады на научных конференциях
Награды и премии
Стажировки в организациях
Участие в редколлегии журналов
–
Статьи в журналах
-
- 2024 Влияние эффектов размерного квантования на эффективную массу основных носителей заряда в светодиодных гетероструктурах со множественными квантовыми ямами InxGa1−xN/GaN
- Бурмистров Е.Р., Авакянц Л.П.
- в журнале Вестник Московского университета. Серия 3: Физика, астрономия, издательство Изд-во Моск. ун-та (М.), том 79, № 4, с. 1-8 DOI
-
- 2023 Спектры фото- и электролюминесценции гетероструктур со множественными квантовыми ямами InGaN/GaN
- Бурмистров Е.Р., Авакянц Л.П.
- в журнале Известия высших учебных заведений. Физика, том 66, № 12, с. 126-136 DOI
-
-
- 2023 Terahertz Time-Domain Spectroscopy (THz-TDS) of LED Heterostructures with Three and Five InGaN/GaN Quantum Wells
- Burmistrov E.R., Avakyants L.P.
- в журнале Journal of Experimental and Theoretical Physics, издательство Maik Nauka/Interperiodica Publishing (Russian Federation), том 136, № 5, с. 594-605 DOI
-
-
- 2023 Determination of 2DEG parameters in LED heterostructures with three InxGa1 – xN/GaN quantum wells by the THz-TDs method
- Burmistrov E.R., Avakyants L.P.
- в журнале Physics of the Solid State, издательство Pleiades Publishing, Ltd (Road Town, United Kingdom), том 65, № 2, с. 185-194 DOI
-
- 2023 Определение параметров 2ДЭГ в светодиодных гетероструктурах с тремя квантовыми ямами InxGa1−xN/GaN методом терагерцевой спектроскопии с временным разрешением (THz-TDs)
- Бурмистров Е.Р., Авакянц Л.П.
- в журнале Физика твердого тела, издательство Наука (СПб.), том 65, № 2, с. 185-194 DOI
-
- 2022 Studying the Nonequilibrium Auger Transition Using the Emission Auger Spectroscopy Data
- Burmistrov E.R., Avakyants L.P.
- в журнале Inorganic Materials: Applied Research, том 13, № 4, с. 1083-1088 DOI
-
- 2022 Study of the Parameters of a Two-Dimensional Electron Gas in InGaN/GaN Quantum Wells by Terahertz Plasmon Resonance
- Burmistrov E.R., Avakyants L.P.
- в журнале Semiconductors, издательство Springer (New York), том 55, № 11, с. 1059-1067 DOI
-
- 2022 Эмиссионные Оже-спектры, характеризующие механизм неравновесного Оже-перехода в пленках оксида серебра Ag2О
- Бурмистров Е.Р., Авакянц Л.П.
- в журнале Материаловедение, издательство Наука и технологии (М.), № 2, с. 3-9 DOI
-
- 2021 Relaxation time, mobility, and effective mass of 2DEG in InGaN/GaN quantum wells according to terahertz plasmon resonance data
- Burmistrov E.R., Avakyants L.P.
- в журнале Moscow University Physics Bulletin, издательство Allerton Press (New York, N.Y., United States), том 76, № 5, с. 10-18 DOI
-
- 2021 Study Of Nonequilibrium Auger-Transition Using Emission Auger Spectroscopy
- Burmistrov E.R., Avakyants L.P.
- в журнале Journal of Applied Spectroscopy, издательство Springer-Verlag (Heidelberg, Germany), том 88, № 5, с. 911-917 DOI
-
- 2021 Photoreflectance Spectroscopy Of Porous Silicon Photonic Crystals
- Avakyants Lev P., Svyakhovskiy Sergey E., Burmistrov Evgeny R.
- в журнале Journal of Russian Laser Research, издательство Kluwer Academic/Plenum Publishers (United States), том 42, № 6, с. 713-719 DOI
-
-
- 2021 Исследование неравновесного Оже-перехода по данным эмиссионной Оже-спектроскопии
- Бурмистров Е.Р., Авакянц Л.П.
- в журнале Журнал прикладной спектроскопии, издательство Наука и техника (Минск), том 88, № 5, с. 675-681
-
- 2021 Piezoelectric Relaxation of Two-Dimensional Electron Gas in Heterostructures with InGaN/GaN Quantum Wells
- Burmistrov E.R., Avakyants L.P.
- в журнале Russian Physics Journal, издательство Springer Nature (Switzerland), том 64, № 5, с. 770-782 DOI
-
- 2021 Исследование параметров двумерного электронного газа в квантовых ямах InGaN/GaN методом терагерцового плазмонного резонанса
- Бурмистров Е.Р., Авакянц Л.П.
- в журнале Физика и техника полупроводников, издательство Наука (СПб.), том 55, № 11, с. 1059-1067 DOI
-
-
-
- 2021 Возможность возбуждения неравновесных Оже - переходов корпускулярными зондами
- Бурмистров Е.Р., Авакянц Л.П.
- в журнале Наноструктуры. Математическая физика и моделирование, том 21, № 1, с. 37-49 DOI
-
- 2020 Динамика двумерного электронного газа в приборах спиновой электроники на основе гетероструктуры AlSb/InAs/AlSb
- Бурмистров Е.Р., Афанасова М.М.
- в журнале Ученые записки Худжандского государственного университета им.Б.Гафурова.Серия естественных и экономические науки.Худжанд, том 52, № 1, с. 25-33
-
-
- 2020 Scattering of Charge Carriers by Impurity Ions in InAs/AlSb Heterostructure
- Burmistrov E.R., Afanasova M.M.
- в журнале Russian Physics Journal, издательство Springer Nature (Switzerland), том 63, № 3, с. 446-456 DOI
-
-
- 2020 Рассеяние носителей заряда на ионах примеси в гетероструктуре InAs/AlSb
- Burmistrov E.R., Afanasova M.M.
- в журнале Известия высших учебных заведений. Физика, том 63, № 3, с. 88-96 DOI
Доклады на научных конференциях
-
- 2023 Расчет зонной диаграммы одиночной квантовой ямы InGaN/GaN путем самосогласованного решения системы уравнений Шредингера и Пуассона (Стендовый)
- Авторы: Бурмистров Е.Р., Авакянц Л.П.
- XXV Всероссийская молодежная конференция по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектронике, Санкт-Петербург, Russia, 27 ноября - 1 декабря 2023
-
- 2023 Временные формы терагерцевых импульсов, генерируемых с использованием светодиодных гетероструктур со множественными квантовыми ямами InxGa1-xN/GaN (Устный)
- Авторы: Бурмистров Е.Р., Авакянц Л.П.
- Взаимодействие излучений с твердым телом (ВИТТ-2023), Минск, Belarus, 25-29 сентября 2023
-
- 2023 Relaxation time, mobility and effective mass of majority charge carriers in heterostructures with InGaN/GaN multiple quantum wells according to terahertz time-domain spectroscopy (THz-TDS) (Стендовый)
- Авторы: Burmistrov E.R., Avakyants L.P.
- 5th International Conference on Microelectronic Devices and Technologies (MicDAT '2023), о. Мадейра, Portugal, 20-22 сентября 2023
-
- 2023 Влияние встроенных пьезоэлектрических полей на спектры фото- и электролюминесценции светодиодных гетероструктур со множественными квантовыми ямами InGaN/GaN (Устный)
- Авторы: Бурмистров Е.Р., Авакянц Л.П.
- XXX Международная научная конференция студентов, аспирантов и молодых учёных «Ломоносов-2023», г. Москва, МГУ имени М.В. Ломоносова, Russia, 10-21 апреля 2023
-
- 2023 Спектры фото- и электролюминесценции светодиодных гетероструктур со множественными квантовыми ямами InGaN/GaN (Устный)
- Авторы: Бурмистров Е.Р., Авакянц Л.П.
- Ломоносовские чтения 2023, Russia, 4-14 апреля 2023
-
- 2023 Влияние встроенных пьезоэлектрических полей на спектры фото- и электролюминесценции светодиодных гетероструктур со множественными квантовыми ямами InGaN/GaN (Устный)
- Авторы: Бурмистров Е.Р., Авакянц Л.П.
- V Всероссийская научно-практическая конференция "Актуальные проблемы физики и технологии в образовании, науке и производстве", Рязань, Russia, 23-24 марта 2023
-
- 2023 Терагерцовая спектроскопия с временным разрешением (THz-TDs) светодиодных гетероструктур со МКЯ InxGa1-xN/GaN (Устный)
- Авторы: Бурмистров Е.Р., Авакянц Л.П.
- 12 -ая международная конференция по фотонике и информационной оптике (1-3 февраля 2023 г.), Москва, Russia, 1-3 февраля 2023
-
- 2022 Параметры 2ДЭГ в светодиодных гетероструктурах с тремя КЯ/КБ InxGa1-xN/GaN по данным THz-TDS (Устный)
- Авторы: Бурмистров Е.Р., Авакянц Л.П.
- XXIV Всероссийская молодежная конференция по физике полупроводников и полупроводниковой опто – и наноэлектронике, Санкт-Петербург, Russia, 29 ноября - 2 декабря 2022
-
- 2022 Эффективная масса, подвижность и время релаксации 2ДЭГ в трёх КЯ InGaN/GaN методом THz-TDs спектроскопии. (Устный)
- Авторы: Авакянц Л.П., Бурмистров Е.Р.
- Ломоносовские чтения - 2022. Секция Физика., Москва, МГУ, физический факультет, Russia, 15-22 апреля 2022
-
- 2022 Эффективная масса, подвижность и время релаксации 2ДЭГ в пяти КЯ InxGa1-xN/GaN методом THz-TDs спектроскопии (Устный)
- Авторы: Бурмистров Е.Р., Авакянц Л.П.
- XXIX Международная научная конференция студентов, аспирантов и молодых ученых "Ломоносов 2022", МГУ имени М.В. Ломоносова, Russia, 11-22 апреля 2022
-
- 2021 Возбуждение плазмонных осцилляций в системе 2ДЭГ и оценка параметров 2Д электронной плазмы по данным спектров эмиссии ТГц излучения (Устный)
- Авторы: Бурмистров Е.Р., Авакянц Л.П.
- 64-я Всероссийская научная конференция МФТИ, г. Москва, Russia, 23 ноября - 3 декабря 2021
-
- 2021 Метод THz-TDS в исследовании динамики двумерного электронного газа в квантовых ямах InGaN/GaN (Устный)
- Авторы: Бурмистров Е.Р., Авакянц Л.П.
- ХXIII Всероссийская молодежная конференция по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектронике, Санкт-Петербург, Russia, 22-26 ноября 2021
-
- 2021 ИССЛЕДОВАНИЕ ДИНАМИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ ДВУМЕРНОГО ЭЛЕКТРОННОГО ГАЗА В КВАНТОВЫХ ЯМАХ INGAN/GAN МЕТОДОМ ТЕРАГЕРЦОВОГО ПЛАЗМОННОГО РЕЗОНАНСА (Устный)
- Авторы: Бурмистров Е.Р., Авакянц Л.П.
- "Взаимодействие излучений с твердым телом" (ВИТТ-2021), Минск, Belarus, 21-24 сентября 2021
-
- 2021 РЕАЛИЗАЦИЯ НЕРАВНОВЕСНОГО ОЖЕ – ПЕРЕХОДА ПРИ РАСПЫЛЕНИИ ПОВЕРХНОСТЕЙ КОРПУСКУЛЯРНЫМИ ЗОНДАМИ (Стендовый)
- Авторы: Бурмистров Е.Р., Авакянц Л.П.
- 25-я Международная конференция "Взаимодействие ионов с поверхностью (ВИП-2021)", Ярославль, Russia, 23-27 августа 2021
-
- 2021 МЕТОДЫ ТЕРАГЕРЦОВОГО ПЛАЗМОННОГО РЕЗОНАНСА В ИССЛЕДОВАНИИ ПАРАМЕТРОВ ДВУМЕРНОГО ЭЛЕКТРОННОГО ГАЗА В КВАНТОВЫХ ЯМАХ INGAN/GAN (Устный)
- Авторы: Бурмистров Е.Р., Авакянц Л.П.
- Ломоносовские чтения - 2021. Секция физики, МГУ имени М.В.Ломоносова, Russia, 21-28 апреля 2021
-
- 2021 Пьезоэлектрические поля в светодиодных гетероструктурах на основе квантовых ям InGaN/GaN (Устный)
- Авторы: Бурмистров Е.Р., Авакянц Л.П.
- XXVIII Международная научная конференция студентов, аспирантов и молодых ученых "Ломоносов 2021", МГУ им. М.В. Ломоносова, Москва, Russia, 12-23 апреля 2021
-
- 2021 ВЛИЯНИЕ ТАНГЕНЦИАЛЬНЫХ МЕХАНИЧЕСКИХ НАПРЯЖЕНИЙ НА ИНТЕГРАЛЬНУЮ СВЕТИМОСТЬ СВЕТОДИОДОВ НА ОСНОВЕ ГЕТЕРОСТРУКТУР С КВАНТОВЫМИ ЯМАМИ InGaN/GaN (Устный)
- Авторы: Бурмистров Е.Р., Авакянц Л.П.
- III Всероссийская научно-практическая конференция «Актуальные проблемы физики и технологии в образовании, науке и производстве», Россия, Рязань, Russia, 21-26 марта 2021
-
- 2021 Пьезоэлектрическая релаксация двумерного электронного газа в светодиодных гетероструктурах InGaN/GaN (Устный)
- Авторы: Бурмистров Е.Р., Авакянц Л.П., Червяков А.В.
- X МЕЖДУНАРОДНАЯ КОНФЕРЕНЦИЯ ПО ФОТОНИКЕ И ИНФОРМАЦИОННОЙ ОПТИКЕ, НИЯУ МИФИ, Russia, 27-29 января 2021
-
- 2020 INFLUENCE OF MECHANICAL TANGENTIAL VOLTAGES ON THE INTEGRAL RADIATION INTENSITY OF INGAN/GAN LED STRUCTURES (Устный)
- Автор: Burmistrov E.R.
- SNAIA-2020, Paris, France, 8-11 декабря 2020
-
- 2020 Оценка подвижности ДЭГ при реализации спин-поляризованного транспорта в гетероструктуре AlSb/InAs/AlSb (Устный)
- Авторы: Бурмистров Е.Р., Афанасова М.М.
- 63-я Всероссийская научная конференция МФТИ, МФТИ, Russia, 23 ноября - 3 декабря 2020
-
- 2020 Моделирование спин-поляризованного транспорта в приборах спинтроники на основе гетероструктуры InAs/AlSb/InAs (Устный)
- Автор: Бурмистров Е.Р.
- XXVII Международная научная конференция студентов, аспирантов и молодых ученых "Ломоносов 2020", Москва, Russia, 20 ноября 2020
-
- 2020 The scattering of the charge carriers in the impurity ions in the heterostructure AlSb/InAs/AlSb (Устный)
- Автор: Burmistrov E.R.
- International Conference and Exhibition on Semiconductors, Optoelectronics and Nanostructures, г. Афины, Greece, 18-19 мая 2020
-
- 2020 Расчет квантового времени в гетероструктурах InAs/AlSb с одной и двумя заполненными подзонами (Устный)
- Авторы: Бурмистров Е.Р., Афанасова М.М.
- Актуальные проблемы физики и технологии в образовании, науке и производстве, г. Рязань, Рязанский государственный университет имени С.А. Есенина, Russia, 26-27 марта 2020
-
- 2020 Контроль текстуры тонкопленочных покрытий на основе квадрупольного фильтра масс (Устный)
- Авторы: Бугров П.В., Бурмистров Е.Р., Трунина О.Е.
- Актуальные проблемы физики и технологии в образовании, науке и производстве, г. Рязань, Рязанский государственный университет имени С.А. Есенина, Russia, 26-27 марта 2020
-
- 2019 Разработка и применение теории по расчету подвижности двумерного электронного газа при реализации спин-поляризованного транспорта (Устный)
- Автор: Бурмистров Е.Р.
- Technical and Natural Sciences, г. Санкт-Петербург, Russia, 22-23 декабря 2019
-
- 2019 Практические аспекты в исследовании динамики двумерного электронного газа в приборах спинтроники (Устный)
- Авторы: Бурмистров Е.Р., Афанасова М.М.
- III Международная научно-практическая конференция «Современная наука: актуальные вопросы, достижения и инновации», Научно-исследовательский и образовательный центр г.Чистополь, Russia, 21-22 декабря 2019
-
- 2019 Модифицирование поверхности электродов вакуумных приборов излучением спонтанно образующихся низкоразмерных структур (Устный)
- Автор: Бурмистров Е.Р.
- "Взаимодействие ионов с поверхностью (ВИП-2019)", Москва, Russia, 19-23 августа 2019
-
- 2019 Механизмы рассеяния электронов в гетероструктурах InAs/AlSb (Устный)
- Автор: Бурмистров Е.Р.
- Международная научная конференция студентов, аспирантов и молодых учёных «Ломоносов-2019», Москва, Russia, 11 апреля 2019
-
- 2019 Расчет эффективного сечения рассеяния носителей заряда в нелегированных наноструктурах (Устный)
- Автор: Бурмистров Е.Р.
- Актуальные проблемы физики и технологии в образовании, науке и производстве, Рязань, Рязанский государственный университет имени С.А. Есенина, Russia, 28-29 марта 2019
Награды и премии
-
- 2023 Стипендии для поступающих на Физический факультет МГУ им. М.В. Ломоносова (категория «Аспирант»)
- Лауреат: Бурмистров Е.Р.
- Фонд развития теоретической физики «БАЗИС», Россия
-
- 2022 Стипендия для студентов Физического факультета МГУ им. М.В. Ломоносова в категории «Теоретическая физика»
- Лауреат: Бурмистров Е.Р.
- Фонд развития теоретической физики и математики «БАЗИС», Россия
-
- 2022 Стипендия Московского государственного университета имени М.В. Ломоносова для молодых преподавателей и научных сотрудников, аспирантов и студентов, добившихся значительных результатов в педагогической и научно-исследовательской деятельности
- Лауреат: Бурмистров Е.Р.
- МГУ имени М.В. Ломоносова, Россия
-
- 2021 II тур Всероссийской студенческой олимпиады по математике
- Лауреат: Бурмистров Е.Р.
- РГРТУ, Россия
Стажировки в организациях
-
- 1 августа 2019 - 31 августа 2019 长春大学, Китай
Участие в редколлегии журналов
-
- с 16 января 2024 Semiconductor Science and Information Devices
- издательство Bilingual Publishing Group (Singapore)
- https://journals.bilpubgroup.com/index.php/ssid