Создать обращение в службу поддержки пользователей
Обращение успешно создано! Ему присвоен номер 0.
На адрес Вашей электронной почты отправлено письмо о регистрации обращения. Вы можете ответить на него, если хотите предоставить дополнительную информацию или прикрепить файлы.
Произошла ошибка при создании обращения. Попробуйте перезагрузить страницу и заново создать обращение.

Подтверждение выхода

Вы действительно хотите завершить сессию?
ИСТИНА ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
  • Область интересов
  • Публикации
  • НИР и НИОКР
  • Доклады
  • Учебная работа
  • Инновации
  • Прочее
  • Все результаты
Удаление сотрудника
Вы действительно хотите удалить сотрудника?
Удалить
Fortunier R.
Fortunier R.
IstinaResearcherID (IRID): 599299521
Статьи в журналах Статьи в сборниках
–

Статьи в журналах

    • 2008 Impact of the transient formation of molecular hydrogen on the microcrack nucleation and evolution in H-implanted Si (001)
    • Personnic S., Bourdelle K.K., Letertre F., Tauzin A., Cherkashin N., Claverie A., Fortunier R., Klocker H.
    • в журнале Journal of Applied Physics, издательство AIP Publishing (United States), том 103, № 2 DOI
    • 2007 Low temperature diffusion of impurities in hydrogen implanted silicon
    • Personnic S., Bourdelle K.K., Letertre F., Tauzin A., Laugier F., Fortunier R., Klocker H.
    • в журнале Journal of Applied Physics, издательство AIP Publishing (United States), том 101, № 8 DOI

Статьи в сборниках

    • 2006 Time Dependence Study Of Hydrogen-Induced Defects In Silicon During Thermal Anneals
    • Personnic S., Tauzin A., Bourdelle K.K., Letertre F., Kernevez N., Laugier F., Cherkashin N., Claverie A., Fortunier R.
    • в сборнике AIP Conference Proceedings, место издания AIP DOI

ФНКЦ РР
© 2011-2025 Лаборатория 404. НИИ механики МГУ.
Правила пользования
Помощь
Создать обращение Обратная связь